??? 一：200億美元的器件市場：2012年，專用于功率電子產業的半導體器件(包括分立器件、模塊和IC)市場將達到200億美元。Yole Développement公司功率電子部門負責人Brice Le Gouic表示。由于被廣泛應用于混合動力汽車、光伏逆變器、照明、能源以及寬幅電壓（從幾伏到數千伏）應用等領域，功率電子一直是半導體產業中最具吸引力的分支，而且，今后十年仍將如此。
?? Yole Développement在此報告中完整且詳細地分析：
?? 1：基于應用的市場預測和廠商份額
?? 2：功率分立器件和模塊的電壓范圍和區域性質
?? 3：用于制造功率半導體器件的晶圓市場。
??? 二：Yole Développement發布的“功率電子產業形勢”分析報告中，分析了具有突破性的功率半導體技術和市場趨勢，并指出，未來十年，功率電子仍將是半導體產業最具吸引力的分支。
?? 三：快速發展的4種技術
? ?IGBT已經是非常成熟的產品，目前在中高電壓領域的市場規模達16億美元。Yole指出，未來IGBT有向縮小電壓范圍發展的趨勢，以滿足電視機、計算機適配器和照相機等消費類目標應用需求，從而搶占更多市場。與此同時，在上述應用中的SJ MOSFET可提供更快的開關頻率和具有競爭力的價格，Yole預計，2012年年底，SJ MOSFET市場規模將達5.67億美元。GaN和SiC也有機會超過硅性能并增強逆變器性能。然而，材料依然昂貴，而且技術也尚未完全成熟。但另一方面，GaN和SiC均受益于其在LED產業的成熟發展，就如我們所觀察到的，許多LED公司都在關注功率電子器件所帶來的發展機會。
?? 四：Yole Développement明確指出這4種主要技術的用途，技術仍然需要努力為各種功率/電壓范圍的每種應用提供理想的解決方案。
?? －GaN和SiC對功率電子市場來說還不成熟。前者要求在制造工藝上做技術改進，特別是外延厚度；而后者，目前是一種昂貴的材料，不適合在消費類市場使用。
?? 結束：技術和功率/電壓范圍之間將產生細分領域，某些領域將只接受某一種最好的技術。
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?? 文章來源于：深圳市鴻邁電子有限公司
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